中國力拚半導體自給自足，專家指出中國已在傳統半導體技術上急起直追，並積極扶植本土設備商。面對美國可能推出「半導體瓊斯法案」，南韓企業赴美設廠或成參與未來技術合作的機會。此外，AI驅動的HBM需求將使半導體超級週期延續至2027年底。
中國將建立「AI經濟強國」設定為國家目標，並將半導體技術自給自足視為關鍵。《朝鮮日報》報導，中國晶片業者呼籲集中力量打造「中國版ASML」，以取代因美國制裁而無法進口的艾司摩爾（ASML）極紫外光（EUV）曝光機。
成均館大學教授權錫俊（Kwon Seok-jun）表示，中國在10奈米級傳統半導體技術上已接近領先地位，材料、零件、設備和封裝技術也快速發展。儘管尚未達到南韓的尖端製程水準，但中國政府和產業已列出待克服的技術清單，並定期追蹤進展，多數項目都已有所突破。權錫俊將於4月出版新書《中國半導體崛起》。
權錫俊指出，中國半導體設備公司在2025年的「中國國際半導體展覽會（Semicon China）」上，展示了國產深紫外光（DUV）曝光機，用於半導體製造。一家新創公司甚至使用雷射產生電漿（LPP）光源，做為替代ASML光源的方法。目前，中國正同步提升光源技術、光學設備製造和精密機械工程等尖端半導體設備所需的技術，中國版ASML在十年內出現的可能性不容忽視。
權錫俊提到，南韓半導體產業正面臨人才短缺，但中國的情況不同。武漢一所大學擁有超過160名半導體相關科系的教授和1,800多名研究生，且實驗室提供學生全天候晶圓設計和製造服務。中國也透過大規模國內市場優勢，推動技術發展。例如，中國的電池產業透過技術發展，克服了能量密度低和爆炸風險等缺點，並利用學習曲線和規模經濟來提高價格競爭力，進而主導全球電池市場。
權錫俊認為，如果中國能將國家資本長期投入半導體產業，讓企業在不斷試錯中累積技術、培養工程師並降低成本，中國模式可能在半導體領域取得成功。他並表示，南韓的半導體產業正面臨「超級週期」，這波由AI驅動的高頻寬記憶體（HBM）需求帶動的週期，預計將持續到2027年底。有別於以往，記憶體半導體製造商越來越要求客戶簽訂「照付不議（take-or-pay）」合約，降低了製造商的過度生產和沉沒成本風險。
權錫俊建議，客製化記憶體半導體製造能力與高性能AI半導體連結，將是未來的發展方向。三星電子（Samsung Electronics）在記憶體半導體市場領導者中擁有晶圓代工產線，因此佔據相對有利的位置。他提醒，若SK海力士（SK Hynix）未能擴大產線、發展技術或取得晶圓代工能力，以滿足客戶對更高性能客製化記憶體的需求，可能會面臨潛在風險。例如，台積電（TSMC）可能直接生產HBM的邏輯晶片，並從2027年左右的HBM4E開始供應給輝達（NVIDIA）。
此外，權錫俊示警，南韓的半導體產業必須為潛在的「半導體瓊斯法案（Semiconductor Jones Act）」做好準備，這項法案可能要求美國主導的AI專案使用的半導體，必須在美國工廠製造。因此，南韓企業在美國的布局，有助於確保參與未來半導體技術或量子電腦等關鍵技術合作的機會。